ОГЛАВЛЕНИЕ:

Предисловие редактора перевода

Предисловие

ЧАСТЬ I

ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИЕ ПОДЛОЖКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Введение

Глава 1

Полуизолирующие подложки из арсеиида галлия
П. Ф. Линдквист, У. М. Форд

Введение

1.1. Механизм проводимости полуизолирующего GaAs

1.2. Методы выращивания кристаллов

1.3. Методы исследования материалов

1.4. Эффекты на границе раздела "подложка - активный слой"

1.5. Заключение

ЧАСТЬ II

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ПОЛЕВЫХ

ТРАНЗИСТОРАХ

Введение

Глава 2

Эпитаксии слоев из паровой фазы для GaAs полевых транзисторов

Л. Холлан, Д. Хадлайс

2.1. Требования к характеристикам материалов

2.2. Основные методы выращивания эпитаксиальиых пленок

2.3. Хлоридный метод эпитаксии из паровой фазы

2.4. Заключение

Глава 3

Молекулярио-лучевая эпитаксия слоев для полевых транзисторов СВЧ

К. Е. К. Вуд

3.1. Получение активного слоя

3.2. Методы эпитаксии

3.3. Формирование профиля распределения основных носителей заряда

3.4. Омические контакты

3.5. Ограничение потоков электронов

3.6. Селективная эпитаксия.

3.7. Сложные полупроводниковые соединения для ПТШ

3.8. Последние разработки

Глава 4

Имплантации в GaAs
Ф. Эйзен, К Керкпатрик, П. Асбек

4.1. Введение.

4.2. Явления в подложках.

4.3. Защита и отжиг

4.4. Характеристики легирующих примесей n-типа

4.5. Применение ионной имплантации

ЧАСТЬ III МАЛОШУМЯЩИЕ GaAs ПТШ

Введение

Глава 5

Шумовые и усилительные свойства ПТШ с длиной затвора меньше 1 мкм

Дж. А. Тернер, Р. С. Батлин, Д. Паркер, Р. Беннетт, А. Пик, А. Хьюз

5.1. Введение

5.2. Рекомендации по разработке транзисторов.

5.3. Разработка и изготовление транзисторов

5.4. Характеристики на постоянном токе

5.5. Высокочастотные характеристики

5.6. Заключение
Глава 6 Малошумящие GaAs
Ф. Хасэгава
6.1. Базовая структурам геометрия прибора
6.2. Оптимизация конструкции ПТШ
6.3. Характеристики в СВЧ диапазоне

ЧАСТЬ IV МОЩНЫЕ GaAs ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Введение.

Глава 7

Мощные GaAs полевые транзисторы, технология обратного монтажа кристалла

И. Друкир

7.1. Введение.

7.2. Эпитаксиальный материал

7.3. Процесс изготовления.

7.4. Геометрия прибора

7.5. Сборка прибора

7.6. Свойства прибора

7.7. Надежность

7.8. Заключение

Глава 8 Мощные GaAs ПТШ
Ф. Хасэгава

8.1. Базовая структура прибора

8.2. Проектирование топологии мощного транзистора . . . .

8.3. Характеристики в СВЧ диапазоне.

Глава 9 Конструирование мощных GaAs ПТШ
X. М. Мак си

9.1. Введение

9.2. Конструирование одиночной ячейки

9.3. Объединение ячеек

9.4. Специальное конструирование прибора

9.5. Свойства ПТШ в СВЧ диапазоне

Глава 10

Принципы конструирования мощных GaAs ПТШ. Процессы их изготовления и технология материалов

У. К., Нейгауз, С. X. Уэмпл, X, М. Кок, Л. А. Д. Азар. Д, . Ди Лоренцо, X. Фукуи, Дж. К. М. Хван, Дж. К. Эрвин, В. О. Шлоссер

10.1. Введение

10.2. Технология материалов

10.3. Последовательность процессов изготовления кристалла

10.4. Обзор общих принципов конструирования мощных ПТШ

10.5. Оптимизация конструкции канала с целью получения максимальных выход­ной мощности и надежности

10.6. Структура металлических слоев прибора

10.7. Топология кристалла

10.8. Характеристики в СВЧ диапазоне

10.9. Заключение

ЧАСТЬ V

КОНСТРУИРОВАНИЕ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА GaAs

С УЧЕТОМ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ

Введение

Глава 11.

Конструирование мощных GaAs ПТШ с учетом тепловых процессов

С. X. Уэмпл, X. Хуан

11.1. Введение

11.2. Анализ

11.3. Методы измерения теплового сопротивления

11.4. Сравнение теоретических и экспериментальных данных

ЧАСТЬ VI НАДЕЖНОСТЬ GaAs ПТШ

Введение

Глава 12 Надежность GaAs ПТШ

Дж. К. Эрвин

12.1. Введение

12.2. Металлизация

12.3. Математический аппарат для анализа надежности

12.4, Оборудование для испытания приборов на долговечность

12.5. Механизмы отказов и надежность малошумящих GaAs ПТШ

12.6. Механизмы отказов мощных GaAs ПТШ

ЧАСТЬ VII ПРИМЕНЕНИЕ GaAs ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Введение

Глава 13

Малосигнальные и нелинейные свойства GaAs ПТШ

Г. Д. Венделин

13.1. Введение

1 3.2. Характеристики GaAs ПТШ на постоянном токе

13.3. Характеристики GaAs ПТШ на переменном токе

13.4. Применение GaAs ПТШ

13.5. Заключение

Глава 14

Схемотехнические аспекты применения мощных GaAs ПТШ

В. О. Шлоссер, В. Соколов

14.1. Проектирование линейных усилителей

14.2. Проектирование усилителей мощности

14.3. Коэффициент полезного действия

14.4. Линейность усилителей

14.5. Технология изготовления схем на ПТШ

ЧАСТЬ VIII ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Введение

Глава 15

Логические схемы на GaAs полевых транзисторах с обеднением-обогащением

Д. Уилсон, Д. X. Филлипс

15.1. Введение.

15.2. Основы проектирования и изготовления.

15.3. Проектирование и изготовление элементов ИС

15.4. Схемотехника

15.5. Заключение

Глава 16

Логические элементы на ПТ с непосредственными связями

К. Леговец, Р. Зулиг

16.1. Введение

16.2. Полевой транзистор на GaAs

16.3. Характеристики инвертора

1 6.4. Современная технология изготовления логических элементов на ПТ с непос­редственными связями

16.5. Сравнение логических элементов на ПТ с непосредственными связями с ло­гическими элементами на ПТШ с ДШ и на буферных ПТШ

16.6. Сравнение базовых логических элементов на GaAs и Si для быстродействую­щих СБИС .

16.7. Заключение.

Глава 17

Планарная технология локальной ионной имплантации БИС и СБИС на ПТШ с ДШ

Р. К Идеи, Б. М. Уэлч

17.1. Введение

17.2. Принцип построения логических элементов на ПТШ с ДШ

17.3. Технология планарных ИС на GaAs

17.4. Экспериментальные результаты

17.5. Заключение

ЧАСТЬ IX ВЗГЛЯД В БУДУЩЕЕ

Глава 18 Взгляд в будущее
Дж. Р. Баркер

18.1. Введение

18.2. Состояние дел в настоящее время

18.3. Малогабаритные и сверхбыстродействующие системы

18.4. Материалы

18.5. Сложность и системы

18.6. Заключение

Список литературы

Список работ, переведенных на русский язык

Список работ советских авторов из списка литературы английского оригинала