| Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур |
| 09.02.2010 | |
 Название: Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктурАвтор: Корольков В. И., Рахимов Н. Издательство: Ташкент: Фан Год: 1986 Страниц: 152 Формат: DjVu Размер: 1.19 Mb Качество: нормальное Язык: русский В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диадах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда. Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов. ОГЛАВЛЕНИЕ: Введение Предисловие редактора Глава I. Гетеропереходы в полупроводниках Глава II. Методы получения многослойных эпитаксиальных гетероструктур Глава III. Полупроводниковые диоды на основе GaAs и гетероструктур Глава IV. Биполярные транзисторы на основе гетероструктур Глава V. Полевые транзисторы на основе гетероструктур Глава VI. Тиристоры на основе гетероструктур Заключение Список использованной литературы Скачать Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур, с: DepositFiles.com Turbobit.net |
