| Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов |
| 09.02.2010 | |
 Название: Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодовАвторы: Конакова Р. В., Кордош П., Тхорик Ю. А. и др. Издательство: Киев : Наукова думка Год: 1986 Страниц: 188 Формат: DjVu Размер: 2.17 Mb Качество: нормальное Язык: русский В монографии систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследований механизмов их деградации. Авторы существенно опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированы различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с р -n «-переходом, гетеропереходом» барьером Шоттки, Рассмотрены пути повышения их надежности. Для облегчения понимания процессов деградации лавинных диодов приведено краткое изложение физических основ лавинного размножения и результатов экспериментального изучения параметров, характеризующих процесс ударной ионизации в полупроводниках. Для научных работников и инженеров, связанных с исследованием и применением лавинных диодов, а также студентов вузов и аспирантов. ОГЛАВЛЕНИЕ: Предисловие Основные условные обозначения Введение Глава 1 Лавинный пробой и коэффициенты ионизации 1.1 Пробой р - n-перехода 1.1.1. Интегралы ионизации и пррбивное напряжение (17) 1.1.2. Экспериментальное определение коэффициентов ионизации (20) 1.2. Учет «темного пространства» 1.3. Полевая зависимость коэффициентов ударной ионизации в кремнии и соединениях типа А3В5 1.3.1. Кремния (24) 1.3.2. Арсеияд галлия (20) 1.3.3. Другие соединения типа А3В5 и их твердые растворы (30) 1.4. Ориентационная зависимость напряжения лавинного пробоя Глава 2 Основные механизмы деградации полупроводниковых диодов 2.1. Релаксация внутренних механических напряжений 2.1.1. Причины возникновения внутренних напряжений в гетерогенных системах (36) 2.1.2. Релаксация внутренних напряжений (40) 2.1.3. Механизмы генерации дислокаций несоответствия (44) 2.1.4. Влияние пластической Деформации на выход и надежность полупроводниковых приборов (59) 2.1.6. Методы уменьшения внутренних напряжений в гетеросистемах (62) 2.2. Диффузия 2.2.1. Механизмы диффузии (64) 2.2.2. Диффузионное размытие профилей (71) 2.2.3. Диффузия неконтролируемых примесей (73) 2.2.4. Взаимная диффузия (73) 2.2.5. Стимулированная Диффузия (74) 2.3. Неустойчивости токопрохождения и их влияние на надежность лавинных диодов 2.3.1. S-образия на ВАХ и неустойчивости токопрохождения, вызванные влиянием заряда подвижных носителей (75) 2.3.2. Неустойчивости токопрохождения на положительной ветви ВАХ (87) Глава 3 Механизмы деградации и отказов днодов, работающих на пролетных эффектах 3.1. Механизмы деградации диодов с барьером Шоттки 3.1.1 Интердиффузия в слоях металлнзацнии в барьерах (107) 3.1.2. Пластическая Деформация (114) 3.2. Механизмы деградации диодов с р — n-переходом 3.2.1. Деградация диодов с гомопереходом (118) 3.2.2. Деградация диодов с гетеропереходом (122) 3.3. Роль теплового сопротивления в деградации ЛПД 3.4. Влияние состояния поверхности на деградацию лавинных диодов 3.5. Роль низкочастотных колебаний в деградации ЛПД Глава 4 Выбор полупроводниковых материалов 4.1. Основные требования к материалам 4.1.1. Чистота и структурное совершенство материала (130) 4.1.2. Однородность материала и границ раздела фаз (133) 4.1.3. Специальные требования к материалам для лавинных фотодиодов (135) 4.1.4. Требования к эпитаксиальным структурам (136) 4.2. Методы исследования материалов 4.2.1. Электрические измерения (139) 4.2.2. Оптические измерения (142) 4.2.3. Диагностика однородности приборных структур с помощью лазерного сканирования (147) 4.2.4. Проверка плоскостности структур (150) Глава 5 Прогнозирование безотказной работы лавинных диодов 5.1. Методы исследования механизмов деградации 5.1.1. Исследование дефектов структуры (153) 5.1.2. Исследование энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (154) 5.1.3. Исследование статических вольт-амперных характеристик (157) 5.2. Методы и аппаратура для прогнозирования надежности 5.2.1. Измерение шумовых микронлазмениых характеристик (160) 5.2.2. Измерение производных вольт-амперных характеристик (104) 5.2.3. Ишеренне импульсных вольт-амперных характеристик (168) 5.2,4. Исследование переходных тепловых характеристик (172) Список литературы Предметный указатель Скачать Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов, с: DepositFiles.com Turbobit.net |
