| Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы |
| 25.01.2010 | |
 Название: Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторыАвтор: Ермаков О. Н., Сушков В. П. Издательство: Радио и связь Год: 1990 Страниц: 240 Формат: DjVu Размер: 2.5 Мб ISBN: 5-256-00736-Х Качество: хорошее Серия или Выпуск: Производственное издание Язык: русский Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов. Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры. ОГЛАВЛЕНИЕ: Предисловие Введение Г л а в а 1. Эргономические принципы конструиршания полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 1.1. Логика развития индикаторов для систем отображения информации 1.2. Морфологический и эргономический анализ полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 1.3. Система параметров полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов Г л а в а 2. Физические принципы работы полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 2.1. Зонная диаграмма гомо- и гетеропереходов и особенности инжекции неосновных носителей заряда 2.2. Рекомбинационные процессы в прямозонных материалах 2.3. Рекомбинационные процессы в непрямозонных материалах 2.4. Особенности безызлучательной рекомбинации в широкозонных полупроводниковых материалах Г л а в а 3. Оптимизация параметров светоизлучающих кристаллов 3.1. Физическая модель светоизлучающего кристалла 3.2. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе прямозонных материалов 3.3. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе непрямозонных материалов Г л а в а 4. Технологические особенности получения полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 4.1. Технология получения полупроводниковых структур 4.2. Технология получения светоизлучающего кристалла 4.3. Технология разделения пластин на кристаллы и сборки приборов Г л а в а 5. Особенности конструирования полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 5.1. Базовые конструкции 5.2. Физические основы конструирования свето-излучающих диодов и многоэлементных индикаторов 5.3. Особенности конструирования цифро-знаковых индикаторов 5.4. Особенности конструирования модулей экрана 5.5. Особенности конструирования линейных шкал Г л а в а 6. Перспективные полупроводниковые материалы в технологии знакосинтезирующих индикаторов 6.1. Бинарные соединения 6.2. Трёхкомпонентные твёрдые растворы 6.3. Четырёхкомпонентные твёрдые растворы 6.4. Цветовые характеристики люминесценции в полупроводниковых материалах и проблема космоцветных индикаторов Г л а в а 7. Влияние дестабилизирующих факторов на параметры полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 7.1. Влияние изменений температуры окружающей среды 7.2. Физико-технологические принципы управления температурной зависимостью излучательных характеристик индикаторов 7.3. Влияние деградационных явлений на излучательные характеристики индикаторов 7.4. Радиационные эффекты в светоизлучающих приборах Г л а в а 8. Оптимизация условий функционирования полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 8.1. Основные характеристики и режимы функционирования 8.2. Оптимизация режимов функционирования Г л а в а 9. Применение полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов 9.1. Области применения 9.2. Схемы управления полупроводниковыми знакосинтезирующими индикаторами 9.3. Проблемы интеграции знакосинтезирующих индикаторов со схемами управления 9.4. Оптимизация эргономических характеристик ПЗСИ в системах отображения информации Заключение Приложение 1. Основные свойства соединений AIIIBV Приложение 2. Основные параметры и характеристики полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов Приложение 3. Относительная спектральная световая эффективность (функция .видности) излучения для стандартного фотометрического наблюдателя МКО Приложение 4. Ординаты кривых сложения х(?), у(?), z(?), используемых при расчётах координат цветности в системе XYZ Приложение 5. Координаты цветности монохроматических излучений в системе XYZ (контур цветового графика МКО) Приложение 6. Относительная спектральная плотность излучения Ф стандартных источников света A, B, C и D65 Список литературы Предметный указатель Скачать Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы, с: DepositFiles.com Turbobit.net |
