| Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА |
| 29.12.2009 | |
 Название: Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА. Учебник для вузовАвтор: Пономарев М. Ф. Издательство: Радио и связь Год: 1982 Страниц: 288 Формат: DjVu Размер: 3.86 Mb Качество: нормальное Язык: русский Рассмотрены конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов и основы их конструирования: обеспечение функциональной точности, тепловые режимы, паразитные связи и помехи, надежность, технико-экономические аспекты конструирования и производства, методики разработки конструкций. Для студентов вузов. Может быть полезен инженерно-техническим работникам электронной и радиотехнической промышленности. Оглавление: Предисловие Введение Глава 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем § 1.1. Резисторы § 1.2. Конденсаторы § 1.3. RC-структуры с распределенными параметрами § 1.4. Пленочные катушки индуктивности § 1.5. Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов Глава 2. Конструкции гибридных интегральных микросхем и микросборок § 2.1. Функциональный и интегрально-групповой принципы компоновки микросхем с различной степенью интеграции § 2.2. Подложки § 2.3. Пленочный монтаж § 2.4. Корпуса § 2.5. Типовые конструкции ГИС и МСБ § 2.6. Критерии оценки качества конструкции ИС Глава 3. Основы конструирования гибридных и больших гибридных интегральных микросхем § 3.1. Обеспечение функциональной точности ГИС § 3.2. Тепловые режимы гибридных ИС § 3.3. Паразитные связи и помехи в ИС § 3.4. Обеспечение механической прочности конструкции ИС § 3.5. Надежность гибридных ИС § 3.6. Оценка технихо-экоиомических показателей гибридных ИС § 3.7. Методика разработки конструкции ИС. Конструкторская документация Глава 4. Активные и пассивные элементы полупроподниковых ИС § 4.1. Методы изоляции элементов ИС § 4.2. Физические процессы в диодах и биполярных транзисторах § 4.3, Конструкции диодов полупроводниковых ИС § 4.4. Конструкции биполярных транзисторов ИС § 4.5. Физические процессы в МДП-транзисторах § 4.6. Вольт-ампериые характеристики и статические параметры МДП-транзисторов § 4.7. Основные конструктивно-технологические разновидности МОП-транзисторов § 4.8. Резисторы § 4.9. Конденсаторы § 4.10. Коммутация элементов микросхем. Конструкции выводов Глава 5. Основы конструирования полупроводниковых ИС и БИС § 5.1. Большие интегральные схемы § 5.2. Логические элементы ИС н БИС § 5.3. Микросхемы с функционально-интегрированными элементами § 5.4. Полупроводниковые БИС памяти § 5.5. Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИС § 5.6. Корпуса. Тепловой режим § 5.7. Разработка конструкций полупроводниковых интегральных микросхем Глава 6. Функциональные микроэдектрониые элементы и устройства § 6.1 Общие замечания § 6.2. Устройства на основе цилиндрических магнитных доменов § 6.3. Приборы с зарядовой связью § 6.4. Акустоэлектронные устройства § 6.5. Оптоэлектронные устройства § 6.6. Электротепловые функциональные элементы Список литературы Скачать Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА, с: DepositFiles.com Turbobit.net |
