| Технология и конструирование интегральных микросхем |
| 17.10.2009 | |
Авторы: Березин А. С, Мочалкина О. Р. Издательство: Радио и связь Год: 1992 Страниц: 320 (160) Формат: DjVu Размер: 9.03 Mb ISBN: 5-256-01014-Х Качество: нормальное Серия или Выпуск: Учебное издание Язык: русский Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной бдлы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а также микросхем на арсениде галлия. Особое внимание уделено задачам и методам машинного проектирования микросхем. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. ОГЛАВЛЕНИЕ: Предисловие Глава 1. СТРУКТУРА ЭЛЕМЕНТОВ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРОИЗВОДСТВА КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 1.1. Введение 1.2. Типовой технологический процесс изготовления кремниевых микросхем 1.3. Особенности технологии интегральных микросхем Глава 2. ОБРАБОТКА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 2.1. Введение 2.2. Ориентирование слитков полупроводников 2.3. Механическая обработка кремния 2.4. Очистка поверхности кремния 2.5. Травление кремния Глава 3. ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ 3.1. Введение 3.2. Решение уравнения диффузии 3.3. Характеристики днффузантов 3.4. Практические способы проведения диффузии 3.5. Методы изучения характеристик диффузионных слоев Глава 4. ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ 4.1. Введение 4.2. Распределение примеси при ионном внедрении 4.3. Радиационные эффекты и их влияние иа свойства легированных слоев 4.4. Практические способы проведения процесса ионного внедрения Глава 5. ЭПИТАКСИАЛЫЮЕ НАРАЩИВАНИЕ СЛОЕВ КРЕМНИЯ 5.1. Введение 5.2. Хлорлдный и силаповый методы автоэпитаксин кремния 5.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия 5.4. Гетероэпитаксия кремния на сапфире 5.5. Методы изучения характеристик эннтаксиальных слоев Глава 6. ПОЛУЧЕНИЕ И ОБРАБОТКА ТОНКИХ ПЛЕНОК 6.1. Введение 6.2. Получение пленок двуокиси кремния методом термического окисления кремния 6.3. Вакуумное термическое напыление 6.4. Ионно-плазмеиное напыление 6.5. Осаждение тонких пленок из парогазовых смесей 6.6. Методы определения толщины пленок 6.7. Ионно-плазменные и плазмохимические методы обработки тонких пленок Глава 7. ЛИТОГРАФИЯ 7.1. Введение 7.2. Фотолитография 7.3. Электроиолитография 7.4. Рентгенолучевая и ионная литографии Глава 8. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 8.1. Введение 8.2. Методы изоляции элементов в биполярных микросхемах 8.3. Технологические процессы изготовления биполярных интегральных схем 8.4. Технологические процессы изготовления микросхем на основе МОП-транзисторов 8.5. Получение электрической разводки и сборка кремниевых микросхем Глава 9. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 9.1. Внедспие 9.2. Материалы подложек 9.3. Материалы пленок и тонкопленочиых микросхемах 9.4. Получение рисунков в тонких пленках 9.5. Типовой технологический процесс изготовления тонкопленочных интегральных схем 9.6. Сборка гибридных микросхем Глава 10. ПРЕДМЕТ И ИСХОДНЫЕ ПРЕДПОСЫЛКИ КОНСТРУИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 10.1. Принципы конструирования интегральных микросхем 10.2. Тины интегральных микросхем, их элементы и компоненты 10.3. Задачи расчета параметров элементов Глава 11. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 11.1. Рабочие слои интегральных микросхем 11.2. Удельная барьерная емкость р-п переходов 11.3. Напряжение пробоя р-п перехода 11.4. Удельное сопротивление слоев 11.5. Эффект оттеснения эмиттерного тока в базовом слое, ограниченном эмнттерным слоем (активной базовой области n-p-n транзисторов) 11.6. Тепловые токи р-n переходов Гласа 12. ПРОЕКТИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И ДИОДОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ 12.1. Специфика интегральных n-p-n транзисторов 12.2. Проектирование n-p-n транзисторов 12.3. Расчет коэффициента передачи n-p-n транзистора 12.4. Проектирование р-п-р транзистора 12.5. Проектирование интегральных диодов на оснопе р-n переходов 12.6. Проектирование диодов и транзисторов с барьером Шотки 12.7. Проектирование многоэмиттерных n-p-n транзисторов Глава 13. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ 13.1. Проектирование диффузионных конденсаторов 13.2. Проектирование резисторов Глава 14. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ МДП-МИКРОСХЕМ 14.1. Проектирование МДП-коидеисаторов 14.2. Проектирование АЪДП-трапзисторов 14.3. Проектирование приборов с зарядовой связью 14.4. Проектирование межэлементных соединений Глава 15. КОНСТРУИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 15.1. Разработка топологии полупроводниковых интегральных микросхем 15.2. Разработка топологии цифровых интегральных микросхем на МДП-транзисторах 15.3. Особенности проектирования топологии аналоговых интегральных микросхем с дифференциальным каскадом на входе 15.4. Интегральная иижекционная логика 15.5. Конструктивное .оформление интегральных микросхем 15.6. Документация па интегральные микросхемы Глава 16. КОНСТРУИРОВАНИЕ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКPOCXЕМ 16.1. Проектирование пленочных элементов гибридных интегральных микросхем 16.2. Разработка топологии гибридных интегральных микросхем Глава 17. КОНСТРУИРОВАНИЕ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 17.1. Особенности конструирования 17.2. Особенности структуры элементов 17.3. Задачи машинного конструирования 17.4. Физико-топологические модели элементов 17.5. Математические модели элементов 17.6. Машинная разработка топологии 17.7. Машинная разработка конструкторской документации и фотошаблонов Глава 18. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 18.1. Технология изготовления элементов микросхем на арсениде галлия 18.2. Электрические и конструктивные параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов с затвором Шотки Приложение Список литературы Скачать Технология и конструирование интегральных микросхем, с: DepositFiles.com Turbobit.net |